qvd

1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3)

2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV

3.为了得到肖特基结，要求P型半导体满足Wm<Ws,所以应选择Al，作为金属构成肖特基结。

4.金属一侧的势垒高度q$ps=X+Eg-Wm=4.05+1.124-4.20=0.974eV

5.半导体一侧的势垒高度qVD=|Wm-Ws|=|4.20-5.00|=0.80eV